晶体三极管教案
篇一:晶体三极管教案
1.6晶体三极管
第___周课时___节 执教者:___
一、教学目标
1.知识目标:使学生掌握三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。
2.能力目标:使学生对三极管的内部结构及放大工作原理有更具体的了解及认 识。
二、教学重点、难点
(1)使学生掌握三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。
(2) 掌握半导体三极管中的电流分配关系;
(3)理解半导体三极管的放大作用,共发射极电路的输入、输出特性曲线,主要参数及温度对参数的影响。
三、教学过程:
(1). 晶体三极管的基本结构和符号:
有3个区――发射区、基区、集电区;
2个结――发射结( be 结 )、集电结( bc 结 );
3个电极――发射极 e (e)、基极 b (b)和集电极 c ( c );
2种类型――pnp 型管和npn型管。
(2)工艺要求:
发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比发射区体积大且掺杂少。 晶体三极管的符号
箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。
1
(3)三极管的放大的条件 :发射结正偏、 集电结反偏
从电位的角度看:npn管,发射结正偏vbve;集电结反偏,vcvb。 pnp管,发射结正偏vbve;集电结反偏,vcvb。
(4) 晶体三极管有三种基本连接方式:共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。
(5) 三极管内电流的分配和放大作用
三极管中电流分配关系如下:
因 很小,则
晶体三极管的电流放大作用-------基极电流微小的变化,引起集电极电流 ic 较大变化。 交流电流放大系数 b——表示三极管放大交流电流的能力
直流电流放大系数 ——表示三极管放大直流电流的能力
通常, ,所以 可表示为
(6) 三极管的输入和输出特性:
输入特性曲线:
集射极之间的电压 一定时,发射结电压 与基极电流 之间的关系曲线。特性曲线有如下特点:
2
1.当 ≥2v 时,特性曲线基本重合。
2.当 很小时, 等于零,三极管处于截止状态。
3.当 大于门坎电压(硅管约 0.5 v,锗管约 0.2 v )时, 逐渐增大,三极管开始导通。
4.三极管导通后, 基本不变。硅管约为 0.7 v,锗管约为 0.3 v,称为三极管的导通
电压。
5. 与 成非线性关系。
输出特性曲线:
在基极电流 一定时,集、射极之间的电压
与集电极电流
的关系曲线
1.截止区
外部条件:发射结反偏或两端电压为零。
工作特点:, ,管子工作在截止状态。
2.饱和区
外部条件:发射结和集电结均为正偏。
工作特点: ,管子工作在饱和状态。
称为饱和管压降,小功率硅管约 0.3 v,锗管约为 0.1 v。
3、放大区
外部条件:发射结正偏和集电结反偏。
工作特点:ic保持恒定
(7) 三极管的主要参数
1.集电极最大允许电流
三极管工作时,当集电极电流超过时,管子性能将显著下降,并有可能烧坏管子。
2.集电极最大允许耗散功率
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时,管子性能变坏或烧毁。
3.集电极――发射极间反向击穿电压
管子基极开路时,集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时,管子将发生电压击穿,若电击穿导致热击穿会损坏管子。
四、教学小结:
三极管的基本概念、结构、工作特性以及电流放大作用。
3
篇二:三极管基本认识(教案)
【教学内容】
本课学习的是“中等职业教育规划教材”电子工业出版《电子技术基础》的第一章第三节的第一部分内容。这节课内容包括三极管的结构,三极管的类型符号、三极管的分类方法和三极管的放大作用。 【地位和作用】
这节课是在学生学习了半导体、pn结和二极管之后安排的,也是为今后学习三极管工作原理打下理论基础。三极管是电子电路中最重要的电子元器件。 【教学目标】
1. 知识目标:
①、了解三极管的概念、分类、符号。
②、掌握晶体三极管的结构及类型的判断。 ③、了解三极管内部载流子的运动。 ④、掌握晶体三极管的电流放大作用。
2. 能力目标:
①培养学生分析问题及解决问题的能力。 ②培养学生的实际动手操作能力。
③激发学生创新精神和创造思维,以达到知识探索、能力培养、素质提高的目的。 3.情感目标:
①激发学生学习这门课程的兴趣及热情,学以致用。
②培养学生事实求是的科学态度和一丝不苟的严谨作为和主动探索的精神 【课堂类型】精讲型(理论基础课) 【教学重/难点】
重点:三极管的结构及类型的判断,三极管电流的放大条件。 难点:晶体三极管的电流放大作用及内部载流子的运动。 【学生情况分析】
学生基础相对薄弱,初中刚刚毕业,且物理学习成绩很差。 【教学工具】
教材电子元器件三极管若干个 粉笔【教学方法】
引导思考法 互动教学法 类比推理法 【课时安排】
二节课
【教学过程】
一、课前复习 1、pn结
①提问:什么是pn结?
答:把p型半导体和n型半导体制作在同一硅片或锗片上,所形成的交接面。 ②提问:pn结具有什么特性? 答:单向导电性 2、二极管
③提问:二极管与pn结有什么联系?
答:pn结用外壳材料封装起来,并加上电极引线就形成了二极管。p区接阳极,n区接阴极。
④提问:二极管的导电性是否与pn结一样了? 答:是
二、新课导入
如图所示是一个扩音器的示意图:
声音信号转换为声音
图1 扩音器示意图
其中如图所示:话筒是将声音信号转换为电信号,经放大电路放大后,变成大功率的电信号,推动扬声器,再将其还原为声音信号。
放大电路又称放大器,是指能把微弱的电信号转换为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件(即放大元件)是半导体三极管。
这节课我们就来学习三极管的基础知识。 三、新授课
(一)晶体三极管的概念、分类、结构、符号及类型判断
1、晶体管的概念
在一块硅片或者锗片上根据不同的掺杂方式制造出三个掺杂区域,并形成两个pn结,就构成了晶体三极管。晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故也称之为双极性晶体管(bjt)。它主要的功能是电流放大和开关作用,配合其他元器件还可以构成振荡器
2、晶体管分类
三极管的种类很多。
按功率分有:按半导体所用材料分有:硅管和锗管 按三极管的导电极性分有:npn型管和pnp型管 按功率分有:小功率管,中功率管和大功率管; 按频率分有:低频管和高频管; 按用途分有:放大管和开关管;
按三极管的封装材料分有:金属封装和玻璃封装等
3、晶体管结构
在一块极薄的硅或锗材料的半导体基片上,经过特殊的工艺加工,制造出两个pn结,这两块pn结将整个半导体基片分为3个区域:集电区,基区和发射区。
如图所示:
c
b
b
c
enpn型
epnp型
图 2三极管结构(3区2结)示意图
其中:基区相对很薄,集电区面积很大,发射区载流子的掺杂浓度很高。
对应着三个区分别引出三个电极;即:基极,集电极和发射极。分别用英文字母b,c和e来表示。
三极管是由两个pn结组成的。我们把基极和发射极之间的pn结称作发射结,基极和集电极之间的pn结称作集电结。 3、三极管的类型符号
由于半导体材料的不同,按照两个pn结的组合方式的不同,可以将三极管分为pnp和npn两大类。
其符号如图所示:
bepnp
图 3三极管符号
enp
n
4、三极管的分类
三极管的种类很多。
按功率分有:按半导体所用材料分有:硅管和锗管 按三极管的导电极性分有:npn型管和pnp型管 按功率分有:小功率管,中功率管和大功率管; 按频率分有:低频管和高频管; 按用途分有:放大管和开关管;
按三极管的封装材料分有:金属封装和玻璃封装等 3. 小结
本节课作为电子元器件晶体三极管理论基础课。分别从晶体三极管的结构,符号和分类等三个方面进行了学习。通过动画演示让学生们更直观的了解了三极管的组成结构特点;然后通过让学生们传着看电子元器件三极管的实物,使学生们对本课的学习更有收获。 4. 知识拓展
三极管的命名方法:
我国生产的晶体管有一套命名规则,其型号命名由五部分组成。 其中:
第一部分用数字来表示半导体器件的电极的数目; 第二部分用字母来表示器件的材料和结构及极性; a: pnp型锗材料b: npn型锗材料 c: pnp型硅材料d: npn型硅材料 第三部分用字母来表示功能或类别:
u:光电管k:开关管
x:低频小功率管g:高频小功率管d:低频大功率管 a:高频大功率管。
另外,3dj型为场效应管,bt打头的表示半导体特殊元件。 第四部分用数字来表示器件的序号;第五部分用字母来表示代号。 5. 作业布置(2分钟)
1.画出三极管的符号
2.说出三极管的内部结构特点 6.课后反思
晶体三极管是我们这本教材的核心元件,它的学习贯穿整个教材的始终。所以有关三极管的基础理论知识显得尤为重要。
篇三:三极管教案
篇四:测试晶体三极管公开课教案
教学任务:测试晶体三极管 教师:彭明道
班级:12级汽修专业7班 时间:2013年5月29日 地点:c栋208教室
机械技术科专业基础教研组
2013年5月24日
任务教学过程: 一、任务引领:(3分钟)
三极管是汽车电子点火电路系统(今后在课程《汽车电气维修》中进行学习,本任务不作讲解)、及其它电工电子产品的重要核心元件之一,其类型和电极(b、c、e极)以及性能好坏质量检测,是从事汽车电工或电器设备安装及其维修技术人员必备的基本技能之一。
二、复习上次任务内容(3分钟)
要对三极管进行检测。检测三极管之前我们先复习一下三极管的结构、符号和分类,如图1所示。
图1
三、任务讲解(演示、示范结合):测试三极管(24分钟)
1、 测试晶体三极管基极b、类型
如图2所示,用万用表的rx1k档或rx100档
(a)测基极、npn型
(b) 测基极、pnp型
图2 测试基极、类型 2、测试晶体三极管c、e极:
方法一、现在已经找到b并确定了类型,那么剩下的两个电极哪一个是c,哪一个是e呢?我们可以先找到c,那么剩下的一个就是e了,现在我们就来讨论如何找
c.
以npn型的三极管为例,如图3所示。
(a)第一次设c图3 测试晶体三极管c、e极 (b)二次设c
结论:指针偏转角度大的那一次假设正确,即第一次假设正确 pnp型的三极管找c的方法与npn型的三极管相同,只是要将红黑表笔交换。 方法二、测试npn三极管基极(黑笔接基极)与其他两脚电阻rbc、rbe ,两次测量阻值小的那次,红笔所接为集电极c极,另一极为e极。测试pnp三极管,只是交换红黑表笔而已。 3、三极管材料判别
方法一:用万用电表rx1k档测晶体三极管pn结正向电阻:阻值在3kω以下为锗材料;在4 kω以上为硅材料。
方法二:如图3所示,当基极b与发射极e之间的电压表v的读数为v=0.6至0.7v时,为硅管,当v=0.1至0.3v时为锗管。
4、判断三极管的好坏
方法一:用rx1k挡,判断两个pn结的好坏。若满足pn结正向电阻小,反向电阻大,则pn结的质量好;反之,损坏。
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