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对电镀层内应力形成机理的研究

上传者:网友
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翻新时间:2015-08-17

对电镀层内应力形成机理的研究

摘要:在电镀过程中镀层存在内应力是一种常见现象,镀层内应力对材料性能有严重影响。有许多人致力于研究它的成因,但由于问题过于复杂,至今还没有形成完整的有关宏观应力起因的理论,本文提出了五种理论解释金属在沉积后产生宏观应力的现象,对镀层产生内应力的形成机理进行研究和探讨。

关键词:电镀层 内应力 形成机理

0 引言

事实上很早就发现电镀金属中存在内应力,例如电镀镍层容易卷曲,电镀铬层中有裂纹。电镀过程产生的应力影响镀层及基体金属材料的一系列物理、化学和力学性能,例如降低材料的耐蚀性和抗疲劳性能,影响镀层的耐磨、硬度、导磁和导电性等。特别是近年来由于有机添加剂在电镀中普遍采用,对镀层应力的控制与研究越来越受到重视。应力对电解液种类、电解条件,特别是有机添加剂是敏感的,用镀层应力指标可以控制添加剂在镀液中的含量,检验其中的杂质和发现电沉积过程的故障。所以研究镀层内应力的形成机理,从而获取小应力或无应力镀层具有重要意义。

1 镀层内应力概述

与研究一般金属材料所遇到的应力一样,电沉积金属中也存在着按Ficher分类的第一类应力(即宏观应力)、第二类应力和第三类应力(即微观应力)。研究镀层的应力主要指宏观应力,也称为残余应力,宏观应力只分张应力和压应力两种。

2 形成镀层内应力的机理

2.1 晶体的聚集理论。随着沉积过程的不断推进,小的核心逐渐长大,并且彼此相互连接,进而在一定程度上聚集成一个大晶体,这时沉积物体积减小,表面能下降。晶粒边界和其它缺陷随着聚集过程的深入逐渐从沉积物中迁移出去,相当于缩小了镀层的体积,所以产生张应力。从气相沉积中观察到的分散小核,大小在5■左右。这一理论很好解释底材对镀层应力的影响,在外延的情况下,底材的晶粒越大,沉积物中产生的核心越少,因而聚集的程度越低,镀层中产生的应力就越小。

2.2 氢理论。氢理论解释宏观应力可能是最简单的。这种理论认为,在一定条件下,沉积层中所含的氢与金属发生反应形成氢化物,如果氢化物发生分解,那么产生的氢就会发生扩散,使得沉积层的体积在一定程度上不断缩小,相反,处于含氢层下面的基体以及其他的沉积层等却没有出现相应的收缩,这时镀层便产生张应力。氢化物发生分解产生的氢如果没有逸出沉积层,而是向其位置扩散,进而形成气囊,受高压气囊的影响和制约,进一步导致沉积层发生膨胀,与上相反使镀层产生压应力。某些现象已经证明氢理论是可靠的。当一个试样的弯曲方向说明沉积层中有张应力时,可以通过充氢来校直它。

2.3 外来物变化理论。所谓外来物,通常情况下是指沉积金属的水化物,以及有机物、机械夹杂等。在沉积层中,当金属水化物的全部或部分水从自镀层中脱出时,在一定程度上导致镀层体积减小,同时产生张应力,夹杂到镀层中水化物进一步以脱水或脱氢的形式变化,引起镀层的张应力。金属与存在于晶粒边界的水起反应形成氧化物使镀层体积膨胀,镀层显示压应力。

在进行电镀时,经常会用到各种有机添加剂,随着晶体的不断成长,以及双电层界面逐渐向电解液方向移动,场的作用逐渐减小直到停止。有机分子不再被约束在一定的方向上。受热运动的影响和制约,在一定程度上导致分子排列发生混乱,使得镀层的体积进一步增加,同时产生压应力。

2.4 过能量理论。对于过能量理论来说,其主要的依据是:在高过电位下沉积金属的同时会呈现出高的宏观应力。宏观应力与过电位之间存在线性关系,对于承受弹性应力的点阵来说,贮存着一定的位能。某些研究者常假设高过电位相当于沉积表面上的高温,当冷却时沉积层的收缩使镀层产生张应力。由于电极与溶液的相界面上过渡电阻很高,电流通过电解池时,楞次-焦耳热效应十分显著。该部分热量又不易散发,温度将是很高的。在双电层中,电压降很大,在放电和进入晶格的瞬间,放电的金属离子就会增加热振动的平均能量,进而在一定程度上增大晶格常数。但有些事实是与过能量的理论相违背的,例如对于热导性很好的金属,不可能维持所假定的温度。有些外来物值会改变过电位,但不产生应力,或产生应力而不改变过电位。对于压应力的生成等,该理论尚不能进行解释。

2.5 点阵缺陷理论。错配位错理论是由弗朗克等针对气相沉积而提出的。镀层和底材之间点阵尺寸的错配程度越大,则应变能也越大。如果应变能足够大,则通过产生正号或负号的刃位错使总能量降低,即通过位错降低错配应变能,达到一定的点阵错配位就会形成位错。当沉积层与基体错配时,如果负号刃位错出现在沉积层中,也就是说,在沉积层中缺少半原子面。在这种情况下,相对于基体来说,沉积层体积出现减小的趋势,进而在一定程度上导致镀层产生张应力。

3 综述

在沉积层中,位错作为高能量区,由位错组成晶体之间的区域,所以,可以将过能量理论认为是位错理论和晶体聚集理论的推论。但是在某些情况下,可能是以一种理论为主,如在形成三维晶核的条件下,晶体的聚集理论是主要的,在大量析氢的沉积中,氢理论可能是主要的。在另一种情况下,又可能是几种因素共同起作用。

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