一种0.18 μm CMOS 1.0 V高精度电压基准源

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翻新时间：2022-12-18

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一种0.18 μm CMOS 1.0 V高精度电压基准源

摘要：在此基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺，设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。该基准源的供电电源电压为1.8 V，输出电压为1.0 V，电路的总电流小于5 μA。在-40～80 ℃范围内的温度系数为5.7 ppm/℃。当频率在100 kHz以内时，电源抑制比始终保持在-75 dB以下。该基准电压源具有低功耗、低温度系数、高电源抑制的特性，能够很好地应用于低压供电的集成电路设计中。

关键词：电压基准源；带隙基准源；温度系数；电源抑制比

3 结语

本文基于SMIC 0.18 μm工艺设计了一种高精度、低压低功耗、低温度系数的电压基准源。由仿真结果可以看出本文设计的带隙基准源的电源抑制比（PSRR）、温度系数、总电流和输出电压和电源电压等各项指标均能满足设计要求。

参考文献

[1] THAM Khong?Meng， NAGARAJ Krishnaswamy. A low supply voltage high psrr voltage reference in CMOS process [J]. IEEE Journal of Solid?State Circuits， 1995， 30（5）： 586?590.

[3] LEUNG K N， MOK P K. T. A CMOS voltage reference based on weighted VGS for CMOS low?dropout linear regulators [J]. IEEE Journal of Solid?State Circuite， 2003， 38（1）： 146?150.