翻新时间：2013-12-18
【环保论文】_LED论文,新能源论文,低碳论文
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。
但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的 Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。
因此，研发其他衬底上的GaN 基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国家863计划项目“基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
(1)”，经过近三年的研制开发，目前已通过科技部项目验收。 Si衬底LED芯片制造
1.1技术路线在Si衬底上生长GaN，制作LED蓝光芯片。
工艺流程：在Si衬底上生长AlN缓冲层→生长n型GaN→生长InGaN／GaN多量子阱发光层→生长p型AIGaN层→生长p型GaN层→键合带Ag 反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。
1.2主要制造工艺采用ThomasSwanCCS低压MOCVD系统在50mmsi(111)衬底上生长GaN基MQW结构。使用三甲基镓(TMGa)为Ga源、三甲基铝 (TMAI)为Al源、三甲基铟(TMIn)为In源、氨气(NH3)为N源、硅烷(SiH4)和二茂镁(CP2Mg)分别用作n型和p型掺杂剂。首先在 Si(111)衬底上外延生长AlN缓冲层，然后依次生长n型GaN层、InGaN／GaN多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型GaN层，接着在p面制作Ag反射镜并形成p型欧姆接触，然后通过热压焊方法把外延层转移到导电基板上，再用Si腐蚀液把Si衬底腐蚀去除并暴露n型GaN层，使用碱腐蚀液对 n型面粗化后再形成n型欧姆接触，这样就完成了垂直结构LED芯片的制作。结构图见图1。
从结构图中看出，Si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au电极、Si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、GaN外延层、粗化表面和 Au电极。这种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。
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