翻新时间:2023-03-15
实验名称:椭圆偏振法测量薄膜厚度和折射率(一)
引言:
椭圆偏振法广泛地应用于固体基片上介质薄膜的测量。在己有测定薄膜厚度的方法中,它是能测量到最薄和精度最高的一类。测量范围从0. 1 nm到几个μm,比干涉法测量精度高一个数量级以上。它能同时测量薄膜厚度和折射率。
椭圆偏振法应用范围广泛,它是表面科学研究的一个重要工具。本实验通过测量若干介质薄膜的厚度和折射率,掌握椭园偏振法测量原理和方法。
实验名称:椭圆偏振法测量薄膜厚度和折射率 实验日期:2006年3月29日
实验原理:
当一束光以一定的入射角射到一个薄膜系统的表面时,光要在多层介质膜的交界面发生多次反射和折射。反射束的振幅和位相变化与薄膜的厚度和折射率有关。如果入射束采用椭圆偏振光,例如把激光器发出的单色光变成椭圆偏振光投射到样品表面,则只要观测反射偏振光状态的变化(包括振幅和位相),就可以定出膜层的厚度和折射率。
根据折射定律,Φ1和Φ0应满足下面关系:
对薄膜硅衬底界面(II),同理有如上述确定的关系式。进而可以算出,任意两相邻反射光间的光程差:
由此光程差引起的相邻两级反射光的位相差为2δ,则:
由于薄膜上下表面对光多次反射和折射,我们在空气中看到的是多次反射光相干叠加的结果。引入P波、S波的总振幅反射系数:
根据多光束干涉理论,我们可以求得总振幅反射系数:
定义Ψ,△两个参数:
Ψ和△具有角度的量纲,称为椭偏角。tgΨ表征反射光对入射光相对振幅的变化,称为振幅衰减比或相对振幅衰减。△表征经过整个薄膜系统后,P波和S波的位相移动之差,△P和△S表示P波和S波各自的位相移动值,θP和θS表示P波S波的位相。用G表示反射系数比。
此式称为椭圆偏振方程,它表示薄膜厚度d和折射率n;与光偏振状态的变化(Ψ,△)之
间的关系。薄膜厚度和折射率的测量归结为反射系数比的测量。椭偏法测量薄膜厚度和折射率的基本原理就是由实验测得Ψ和△,再由以上关系定出薄膜厚度d和折射率n1。Ψ,△两个参数定义式包含多个物理量,测量比较复杂。为了使问题简化,通常把实验条件作某些限制:
(1)使入射光为等幅椭圆偏振光,P波和S波振幅相等。这样,Ψ只与反射光的振幅比有关,可从检偏器方位角算出。
(2)使反射光为线偏振光,即反射光P波和S波的位相差。这样△只与入射光的P波,S波的位相差有关,可从起偏器方位角算出。
实验仪器和实验方法
椭圆偏振光测厚仪简略的结构图及光路图如下图:
图中,由于生波片与入射面成450倾斜,故入射光为等幅椭圆偏振光。
测量原理和方法如下:激光器发射的单色自然光,经起偏器变成线偏振光,复经补
偿器(1/4波长片)将线偏振光椭圆偏振光,再射到待测样品表面。反射光通过反射光栏
进入检偏器,调整起偏器2,总会找到一个方位角P使入射的椭圆偏振光在反射方向变
成线偏振光。旋转检偏器7,使其消光。此时检偏器在方位角A的位置其透光方向与线
偏振光偏振方向垂直。先由观察窗目测光强的变化,当光强最弱时,才转为光电流观察,
光电倍增管将光能转变为电能,通过微电流放大器由微安表表头指示最弱光电流(光强),
这样就可以准确判断消光状态,测出消光状态下起偏器和检偏器对应的(P, A)数值,以
确定入射椭圆偏振光和反射线偏振光的振幅比和位相差,进而得出被测样品的表面薄膜
厚度和折射率。
仪器在正常使用时,不要随意调整和校正,特别是1/4波长片,不允许折下或转动,
以免造成测量误差。
实验内容 :
本实验测量样品为Si与Si02。硅是吸收介质,所以具有复数折射率,对波长6328 A的He-Ne激光,n,=3. 9-0. 02i,实验时取入射角Φ0=700。
测量过程中,激光器输出光功率应稳定,为此,激光管必须点亮半小时后才能开始测量。
对消光状态的判断,有目测和光电检测两种结构,为了保护光电管,应先用目测,从观察窗观察反射光的光斑。光斑应是完整的园形亮斑,当样品台转动时,亮斑不应转动或出现残缺。旋转偏振器目测至光斑消失或最暗,再转换到光电检测。当光电流指示到最小值后,应把转换旋钮拨到观察窗的位置,再去读取起偏器P和检偏器A的读数(P,A)。光电管的高压取值600-900伏,一般放在700伏左右。
对于样品上的同一点,有两组起偏器和检偏器的刻度值,使得反射光处于消光状态。对这两组(P, A)进行数据处理。得到△和Ψ,通过列线图,数据表和计算机程序计算,最后获得厚度和折射率。
1.由测量的两组(P, A)计算△和Ψ:
根据仪器选用的座标系,必须把测量出的两组(P, A)通过适当的变换求平均值,然后算出△和Ψ,步骤如下:A1:在0-90o之间 P1:在0-180o之间 (b)根据下式将(P2,A
2)换算成(P2’,A2’)
通过以上变换,P,A的读数范围是:
(d)△和Ψ的计算公式:
实验数据表格及数据处理:SiO2 11.69O 67.50O& nbsp;168.58 O 157.54 O 11.42 O 67.54 O 11.56O 67.52 O
△=134.96 O 和 Ψ=11.56O
将以上参数输入计算机得: SiO2样品(周期)厚度:D1=140.66Å ,D2=1617.89Å ,D3=3095.138Å 。
2.对Si的数据测量与公式计算:
Si 10.56 O 67.50 O 167.52O 170.00O 12.48O 80.00 O 11.52O 73.75O
将以上数据代入公式:
得:
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