【环保论文】_LED论文,新能源论文,低碳论文

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翻新时间：2013-12-18

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【环保论文】_LED论文,新能源论文,低碳论文

编者点评：MOCVD的现状折射出整个工业现状及工业的基础问题。实际上发展LED产业与半导体业十分相近，从一开始就都卡在设备上。

设备占产业的比重大，半导体占70%，但是国产的设备总差一步，只能历年进口，导致费用大及技术总卡在别人手中。国内试图攻关，突破此等思路是积极的，但是至少目前的结果还是不太理想。

有人认为设备与工艺脱节、资金分散等原因，都是正确的，但是可能把问题的难度低估了。国际上通常研发费用是销售额的10倍计，即一台MOCVD1500万元的话，至少应投入1。

5亿元，但是到中国的情况肯定不够。因为有个工业基础，包括市场容量、品质、品牌及思维等各个方面，并非一朝一夕很快就能实现国产化，所以这样的现状并不能全由设备厂来承担。

近几年中，电子装备已有很好的进步，如太阳能电池制造中有部分设备已能实现国产化。然而，任重而道远，需要从现在起改变思维，我们制造的设备是为了满足客户能生长出质量好的LED外延片，即把工艺要求转化成设备的刚性指标。

能够在产品的质量、可靠性、成本及量产等综合性能方面与国外设备可比照。同样的情况在薄膜太阳能电池的CVD设备中。

第十一届全国MOCVD学术会议于2010年1月12日在江苏苏州召开，为期2天，会议上跟许多专家和学者进行了交流，本次MOCVD探讨的主要应用集中在LED，太阳能/激光器方面的应用也不少。国内MOCVD的总体感觉是：关注的人多，做的人少。

我国MOCVD发展有喜有忧目前我国在外延生长制造方面取得长足发展，在不同衬底（Al2O

3、Si、SiC、AiN）上外延生长GaN材料，已开发出图形化衬底外延、非极性或半极性外延等，提高内量子效率和外量子效率方面，取得很好的研究成果，已经研发出AlGaN深紫外（260nm-400nm）发光二极管，开发出1W的LED蓝光芯片，做成白光的LED发光效率超过80lm/W，并研制出4元系AlGaInP红光功率LED器件，发光效率约40lm/W，南昌大学研制出有自主知识产权的硅衬底生长GaN，并做出蓝、绿LED芯片。尽管如此，我们看到在LED核心外延设备MOCVD方面仍处于早期发展阶段，在2008年我国有135台生产用MOCVD设备，2009年MOCVD设备将增加100台左右，但遗憾的是，这其中大部分依赖进口，当中很少采用国产设备，武汉迪源光电科技公司总经理董志江表示，“目前用于照明用大功率的特性衬底技术、加工稳定性以及对外延效率的提升率与国外相比，差距逐渐缩小，但是目前生产性外延设备仍主要依赖进口，大陆市场仍缺乏竞争性的国产设备。

” 我们发现，尽管我们国家早在上世纪80年代就开始研制MOCVD设备，但大都是推出样机后便音信全无，这其中有多方面的原因。一部分专家认为，投资比较分散、无法形成合力，缺乏市场化运作模式是国产MOCVD设备迟迟无法量产的根本性原因。

不过在本次会议上我们可喜地看到上游原材料以及MOCVD设备已经有厂家或单位生产，例如江苏南大研制的MO源已经获得广泛应用，中科院半导体所（7×2”）、华中科技大学（与昭信集团合作）都宣布研制出新的自主生产型的MOCVD设备（但都无导入量产），在此之前，青岛杰生光电和西安电子科技大学也研制出单片、3×2”和6×2”的MOCVD设备，同时也有不少单位对MOCVD设备的研制表现了浓厚的兴趣，看得出，许多人已经认识到MOCVD国产设备的缺失所带来的挑战和巨大商机。研制MOCVD设备应集中各种资源在本次会议上，多位专家和业内人士发表了他们对研制国产MOCVD设备的看法，中科院西安光机所高鸿楷研究员认为，MOCVD设备的制造