65W 单级PFC LED电源设计 通嘉应用方案
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65W 单级PFC LED电源设计 通嘉应用方案
LED电源设计
LED驱动电源单极PFC反激式开关电源的设计
[日期:2012-01-11] 作者:Billy.chen
因为环境能源要求,在越来越多的电子产品使用的电源要求越来越高,特别是LED驱动电源要求在5W以上的产品都要求高功率因素,低谐波,高效率,但是因为又有体积和成本的考量,传统的PFC+PWM的方式电路复杂,成本高昂,因此在小功率(65W左右)的应用场合一般会选用单极PFC的方式应用,特别是在T5,T8等LED驱动电源得到广泛的应用,并成为目前的主流应用方案。
目前市面上的PFC有很多,下面以市面上得到广泛应用的LD7591及其升级版本LD7830,主要用LD7830来做说明介绍。
一 介绍:
LD7830是一款具有功率因素校正功能的LED驱动芯片,它通过电压模式控制来稳定输出且实现高功率因素(PF)与低总谐波失真(THD)特性。LD7830能在宽输入电压范围内应用,且保持极低的总谐波失真。LD7830具备丰富的保护功能,如输出过压保护(OVP),输出短路保护(SCP),芯片内置过温保护(OTP),Vcc过压保护,开环保护等保护功能令LED驱动电源系统工作起来更加安全可靠。LD7830在LD7591的基础上增加了高压启动,OLP保护功能和软启动功能,使系统的待机功耗更低至0.3W以下,同时短路保护更加可靠。
二 LD7830特点:
内置500V高压启动电路
高PFC功能控制器
高效过渡模式控制
宽范围 UVLO (16V开, 7.5V 关)
最大250KHZ工作频率
内置VCC过压保护
内置过载保护(OLP)功能
过电流保护(OCP)功能
500/-800mA驱动能力
内置8ms软启动
内置过温保护(OTP)保护
三 应用范围:
AC/DC LED照明驱动应用
65W以下适配器
1
LED电源设计
四 典型应用
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图一
五 系统设计
LD7830的典型应用为反激拓扑结构,如图一所示。
5.1我们首先介绍LD7830的反激工作原理,假设交流输入电压波形是理想正弦波,整流桥也是理想的,则整流后输入电压瞬时值Vin(t)可表示为:
VIN(t)=VPK×sin(2×FL×t)
FL为交流其中VPK为交流输入电压峰值, VPK=2×VRMS, Vrms为交流输入电压有效值,输入电压频率。再假定在半个交流输入电压周期内LD7830误差放大器的输出VCOMP为一恒定值,则初级电感电流峰值瞬时值IPKP(t)为:
IPKP(t)=IPKP×sin(2×π×FL×t)
其中IPKP为相对于输入电压初级电感电流峰值的最大值。
在反激电路中,当MOSFET导通时,输入电压Vin(t)对电感充电,同时输出电容对负载放电,初级电感电流从零开始上升,令θ=2×π×FL×t
则TON=
LP×IPK(θ)VIN(θ)
=
LP×IPKPVPK
Ton为MOSFET导通时间,Lp为初级电感量,由上式可见,TON与相位无关。
假设变压器的效率为1且绕组间完全耦合,当MOSFET关断时,次级电感对输出电容充
2
LED电源设计
电和对负载放电,则: TOFF=Ls×IPKS(θ)
n×(VOUT+VF)
其中,TOFF为MOSFET关断时间,IPKS(θ)为次级峰值电流瞬时值,Ls为次级电感量,Vout为输出电压, VF为输出整流管正向压降,n为初次级匝比,TOFF随输入电压瞬时值变化而变化。
工作电流波形如图二所示,可见,在半个输入电压周期内,只要控制TON固定,则电感电流峰值跟随输入电压峰值,且相位相同,实现高功率因素PF。
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图二
5.2下面将针对反激拓扑结构介绍相关参数设计流程
5.2.1首先根据实际应用确定规格目标参数,如最小交流输入电压Vinmin, 最大交流输入电压Vinmax,交流输入电压频率FL,输出电压Vout,输出电流Iout,最大两倍频输出电压纹波ΔVo等。 然后针对目标参数进行系统参数预设计,先估计转换效率η来计算系统最大输入功率;最大输入功率Pin可表示为:Pin=PV×I=ηη
再确定系统最小工作频率,LD7830的开关频率是个变化量,表示为:
FSW=V11==×TTON+TOFFLP×IPKP(1+1 VPK+VF)×?sinθ?n(VOUT
最小开关频率Fsw-min出现在最小输入电压的正弦峰值处。系统设计中,最小开关频率Fsw-min一般设定在35kHz或更高。
确定变压器反射电压VOR,反射电压定义为: VOR=n(Vout+Vf), VOR的取值影响MOSFET与次级整流管的选取以及吸收回路的设计。
5..2.2变压器设计
首先确定初级电感量,电感的大小与最小开关频率的确定有关,最小开关频率发生在输入电压最小且满载的时候,由公式推导有:LP=VPKMIN
(1+KO)×FSWMIN×IPKP
VPK
VRO 其中Ko定义为输入电压峰值与反射电压的比值,即 KO=
3
LED电源设计
一般说来Ko越大PF值会越低,总的THD%会越高。IPKP=4PO
1.414VINMIN×η
确定初级电感量LP后,就该选择变压器磁芯了,可以参考公式AP=AE×AW选取,然后根据选定的磁芯,确定初级最小绕线圈数Npmin来避免变压器饱和,参考公式: NP=(LP×IPKP)/(BM×AE)×106
然后确定次级绕组匝数,初次级的匝比由VRO决定:n=
VORVOUT+VF,则NS=NP n
同理推导并根据规格书定义的Vcc电压可以得出Vcc绕组的匝数,LD7830的Vcc典型值设定在16V。
定义: LP:初级电感量
NP:初级匝数
IPKP:初级峰值电流
BM:最大磁通饱和密度
AE:磁芯截面积
Po:输出功率
5.2.3 初级吸收回路设计
当MOSFET关断时,由于变压器漏感的存在,在MOSFET的漏端会出现一个电压尖峰,过大的电压加到MOS管的D极会引起MOS击穿,而且会对EMI造成影响,所以要增加吸收回路来限制漏感尖峰电压。典型的RCD吸收回路如图三所示:
T1
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图三
4
LED电源设计
图四
RCD回路的工作原理是:当MOSFET的漏端电压大于吸收回路二极管D1阴极电压时,二极管D1导通,吸收漏感的电流从而限制漏感尖峰电压。设计中,缓冲电容C1两端的电压Vsn要设定得比反射电压VRO高50--100V,如图四所示,称为漏感电压ΔV, Vsn不能设计太低,设计太低将增加RCD吸收回路功耗。缓冲电容C1的设计根据能量平衡,
C1SN.MINLK×IPKPMAX2
=ΔV×(ΔV+2VRo)
IPKPMAX为全电压范围内IPKP的最大值,缓冲电容C1SN要承受大电流尖峰,要求其等效串联电阻ESR很小,R1根据功耗选择合适的W数,阻值一般在47K-120K之间,
VSN2
PR1>R1SN ,吸收回路二极管D1通常选择快恢复二极管,且导通时间也要求快,反向击
穿电压要求大于选择的MOSFET 的击穿电压BVDSS,一般在65W以下应用场合选用额定电流1A的快恢复二极管作为吸收回路二极管。
5.2.4 MOS管的选取
开关管MOSFET最大漏极电流IDMAX应大于开关管所流过的峰值电流IPKP 至少1.5倍,MOSFET的漏源击穿电压(参考图四)BVDSS应大于最大输入电压,VOR以及漏感引起的尖峰之和,一般应留至少90%的余量。
即:BVDSS×0.9>VPKMAX+VOR+ΔV
5.2.5 次级整流管的选取
考虑一定的裕量,次级整流管D最大反向电压VRM需满足:VRM>1.2×(Ns*Vpk+Vout) Np
因为反激式开关电源次级整流二极管只有在电源Toff的时候才会导通,输出在导通时必须能够承受整个输出电流的容许值.输出二极管需要的最小正向导通峰值电流为: Ifps=(2Iout)/(1-Dmax)
Dmax为工作周期,如果设定Dmax为0.5则Ifps>4Iout
5.2.6 输出电容的选取
输出电容电压通常呈现两种纹波,一种是由高频输出电流引起,主要与输出电容的等效窜连电阻(ESR)大小有关,另外一种是低频纹波,为了获得较高的PF值,环路带宽
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