LED芯片制造相关专利简介_谢菡

中国照明电器

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CHINALIGHT＆LIGHTING

2012年第2期

LED芯片制造相关专利简介

谢

菡摘编

BriefIntroductionofthePatentsaboutLEDChipDevelopment

ExtractedbyXieHan

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一种结构改良的LED芯片

LED的出光效率和内量子效率，获得较高的光输出功率。3

具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法

公开（公告）号：CN102148309A

摘要：本发明涉及LED制备技术领域，尤其涉及一种

结构改良的LED芯片。本发明所述的一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述衬底的下方层叠设置有反射镜，反射镜与衬底之间分布有

银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表颗粒状的银粒子，

面，银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方

相对于单的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜，该复合反射镜一金属反射镜或者介电质反射镜而言，

具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线

由镜面反射状态变成漫反射状态，漫反射可以增加透本发明能够有效地出本发明的出光面的光线；所以，提高出光效率并最终提升照明亮度。2

基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片

公开（公告）号：CN102157654A

摘要：本发明公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，该芯片自上而下由上下表面均匀分布10～10个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂AlxGa1－xN外延材料构成的单元层组成的AlxGa1－xN组分渐变缓冲层、n型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱、p型GaN层、透明ITO导电薄膜、倒装焊电极及硅衬底组成。本发明采用凹孔结构增加衬底的散热表面提高LED出射光的出射几率，积和生长应力作用范围，以提高GaN外延质量及其辐射复合发光效率；采用Al组分含量逐渐降低的AlxGa1－xN来制作n型GaN外延层的缓冲层，提高

2

4

公开（公告）号：CN102280550A

摘要：本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯

片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延层的透明衬底，该衬底具有台阶形结构，且至少衬底侧边上部为与竖直方向成10～45°夹角的倾斜边。该方法为：首先以彼此之间成20～90°夹角的两束激

且形成光自衬底背面倾斜切入衬底至第一设定深度，的两条倾斜切痕彼此无交叉；其后以平行排布在两条倾斜切痕之间的多束激光垂直切入衬底至第二设定

从而在衬底上形成Y型切槽，该第二设定深度深度，

大于第一设定深度；最后以一束激光自切槽槽底垂直切穿衬底和生长于衬底正面的外延层，将相邻LED芯片自预定分割位置分离。本发明LED芯片结构简单，发光效率高，且其制备工艺简便高效，无需裂片操成本低廉，良品率高。作，4

一种LED芯片

公开（公告）号：CN102142495A

摘要：本发明公开了一种LED芯片，所述的LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。配合蓝宝石基底的解理面分布性质制造出的LED芯片为

而且无论是小芯片的图形电极设计还是大正三角形，

电极都平行于LED芯片的侧边。芯片图形电极设计，

对LED芯片切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害较LED芯片各区域电流密度分布较均匀，小，拥有更好的电流扩展效率。本发明解决了现有技术的缺点，提供了一种电流扩展均匀、制程良率好的LED芯片。

谢菡摘编：LED芯片制造相关专利简介35

5LED芯片的制作方法

缘材料保护N型区域，实现N型区与P型区的隔离；将外延片减薄，使得所打的孔成为连通蓝宝石基板与N型区的通孔，并在基板表面制作焊线电极。由于本发明方法将发光PN结区靠近导热材料，解决了传统正装结构LED芯片所存在的导热、散热问题，同时无需考虑传统倒装结构的电路对应等问题，具有使用方便，节约成本，成品率高的特点。本发明适用于氮化镓基功率型LED芯片的制备。8

一种GaN基垂直结构LED芯片结构及其制备

公开（公告）号：CN102176498A

摘要：本发明公开了一种LED芯片的制作方法。其

中，移除部分外延层包括以下步骤，在外延层上形成第一掩膜层包括多个相互间隔开的掩膜第一掩膜层，层单元，各掩膜层单元间留有预定大小的第一间隙；移除第一间隙所在区域的第二半导体层，发光层以及部分第一半导体层，以形成凹槽；清除第一掩膜层；重移除部分外延层及缓冲层至基板，复上述步骤N次，

各掩膜层单元间留有预定大小的第N间隙，第N间形成具有N个台隙的宽度大于第N－1间隙的宽度，

N≥2。应用本发明的技术方案，阶的隔离槽，隔离槽具备较浅的深度、较大的宽度、一定的倾斜角度，有利

于绝缘材料的覆盖，金属连接线的附着，解决了金属连接线跨越较深的沟槽时可能造成的断裂问题。6

GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的具有p-

方法

公开（公告）号：CN102255027A

摘要：本发明提供一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其包括设有第一Au层的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层的支撑衬底；第一金层与第二金层表面完全接触并紧密键合；所述第一器件结构包括GaNGaN层上设有ITO层；所述基LED外延片；所述p-ITO层上依次设有阻挡层、银层、覆盖层以及第一金Au键层。本发明等离子表面处理能够显著降低Au-缩短键合时间。既适应了Ag合温度及压力的要求，

不宜高温长时处理的固有特性，也改善了GaN基垂

直结构LED的键合质量。采用ITO/阻挡层/Ag/覆盖层/Au结构有助于进一步防止Ag的受热团聚效应。9

一种利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法

制作方法

公开（公告）号：CN102157640A

GaN层表面粗化的GaN基LED芯片摘要：一种具有p-的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺N-GaN层、GaN层，杂GaN层、多量子阱层和P-形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，GaN层在P-的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔GaN层表面的CsCl室中充入水汽，控制相对湿度使P-或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN

外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表在台面上制作N电极，完成器件制备。面制作P电极，7

一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法

公开（公告）号：CN102332509A

摘要：本发明提供了一种利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法，包括以下步骤：在LED外延片的p-GaN层上制备相互间隔的纳米金属颗粒，并刻蚀该p-GaN层，GaN层表面为纳米结构；利用掩使得该p-膜将所述LED外延片的激活区域镀上激活液，以对该LED外延片的激活区域进行激活，然后移去掩膜；将所述LED外延片放入化学镀液中，在将所述激活区域外的纳米金属颗粒溶解的同时，在所述LED外延片的激活区域化学镀金属，以形成金属基板；所述金属为可诱发还原金的金属；将所述LED外延片放入化学镀金液中，在所述金属基板上自动沉积金，以得到p电极。本发明所述的利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法减少了贵重金属的应用，同时减少了工艺步骤，提高了出光效率。

公开（公告）号：CN102214746A

摘要：一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法，该方

真空蒸镀等技术在外延层上分别制作好法利用刻蚀、

P型欧姆接触及AL层反射镜，并利用激光打孔技术

然后制作好N型区在裸露的N型外延层区域打孔，

的欧姆接触，同时在孔内沉淀好金属材料，再利用绝