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以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

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以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

文章编号:1008—0570(2006)12…2

电子设计CMOS

中文核心期刊《微计算机信息》(嵌入式与SOC)2006年第22卷第12—2期

0248

03

以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

BroadbandLowNoiseAmplifierWith

an

UnbalancedActiveInductor

(湖南大学)刘文用陈迪平陈弈星王镇道

LIUWENYONGCHENDIPING

CHENYIXlNGWANGZHENDAO

摘要:本文设计了一个基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器。其中包括了级联型有源电感的优化

益要求;在3dB带宽内,S11在…12

中图分类号:TN722

设计。电路采用共栅结构,用HSPICE进行仿真优化,模拟结果表明电路工作良好,¥21达到lOdB,电压增益为17dB。满足增

17dB之间,完全符合一般通信系统S11<一10dB的要求:NF在3.6至4.9之间。通带的反

向隔离良好,大于40dB.¥22亦在一14dB以下。

关键词:有源电感;CMOS;宽带低噪声放大器

文献标识码:A

Abstract:Abroadbandlownoiseamplifiered.Theoptimaldesignofthis

to

fLNA)wim

active

all

unbalancedactiveinductorloadusingdigitalCMOStechnologyiSpresent—

cases

unbalanced

inductorforspecific

iSalsodiscussed.Acommon

LNA.ItiS

gate

structure

iSemployed

improvethe

of

broadbandperformance.HSPICEsimulationiS

10

performedfortlledesigned

are

shownthatthisLNAhas

fil

powergaindB

in

the3

dB(¥21)and

voltagegainofmeetsthe

17

dB,whichquitesufficient

for

practicalLNA,(ii)S11between一12一-17

systems.fiiilS12lessthan一40

3.6~4.9

dB,whichis

quitegood

dBbandwidth,which

good

below一10dB

below一14

requirementforthemost

noise

communication

dB,which

for

ensuresa

isolation,(iv)S22

power

dB,and(V)afigure(NF)between

broadbandLNA.The

consumptioniS20mW.

Keywords:ActiveInductor。CMOS.broadbandLNA

 

1前言

随着RF通信系统市场的增长。越来越多的RF器件用MOS工艺实现,包括电感和电容。就电感而言,目前的多数研究集中于片上无源电感的实现和建模。无源电感大多用来获得较好的匹配和功率增益.尽管通过使用立体电感或是微机电工艺可以克服片上无源电感的低Q等缺点,却无法解决其占用面积过大的缺点。在低噪声放大器中,一个1~2nH的电感所占用的面积可能超过其余全部有源器件所占面积之和。而且.一个良好片上无源电感的实现常常要求一些特殊工艺.难以与主流的数字MOS工艺兼容。因此。在噪声要求并非十分严格而对面积和价格更为关注的情况下,采用有源电感是一种不错的选择。

在片上实现有源电感的研究已经进行多年.有源电感主要用于带通滤波器和低噪声放大器部分。但因为噪声、电感Q值低以及功耗等问题,有源电感在低噪声放大器中的应用亦不多见,主要还处于研究阶段。Jhy—NengYang等在2001年提出了一种改进的高Q值有源电感,解决了Q值及功耗问题。然而却有S11与¥21峰值重叠的问题。在Jhy—NengYang等人于2003年提出的高Q值有源电感为负载的宽带LNA中.尽管解决了S11与¥21峰值重叠的问题,却大大刘文用:硕士研究生

增加了噪声(达到8dB)。本文基于以上两文的研究,对有源电感作了改进,设计了一个基于CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器,在满足功耗及增益指标的情况下解决了S11与¥21峰值重叠的问题并得到较好的噪声指标(不超过5dB)。

文章第二部分介绍有源电感的设计原理.第三部分介绍以有源电感为负载的宽带低噪声放大器的设计。最后给出所设计电路与已有的电路的性能参数比较。

2有源电感原理

目前对CMOS有源电感的等效模型的研究已较多。典型的简单的级联CMOS有源电感如图1所示。此电路利用了器件的寄生参数。分析电路的等效小信号模型,可得:

勐㈦:——塾立竺《垦止垒k

(gdsl+gml十SC∥2)lg。2+s(c笋2+Cgdl)I

图1有源电感原理图

一248—360元,年邮局订阅号:82-946

万方数据 

电子设计

射,即得到最小S11及VSWR,LNA的输入阻抗应为50欧。对于共栅放大器:源端输入阻抗为1/gm。那么只要选择适当的器件尺寸和偏置电流,共栅放大器就可获得50欧源端输入阻抗。

一P

图2改善增益的有源电感

为了提高电路的增益并增加带宽.考虑在M1上级联一个MOS管。得到图2。此外亦有另外增加一个M4以增加Q值的调节度的方法,如图3。但是,不论使用何种结构,其电感等效电路都等效于图4。

其中:

图5设计的有源电感为负载的宽带LNA

L-卫

gmlgm2

以有源电感为负载的LNA如图5所示。对于图5电路。MINPUT完成输入功能。M1一M5、MININ和MTL实现有源电感。M3和M4主要影响增益,而其中M5反馈系统的增加可以降低电感的寄生电阻值,有益于输入输出的50欧姆匹配.而M1~M4则有利于对电感各项参数,如Q值和带宽等进行调节。但同时更对输入输出的匹配产生影响,适当调节其栅宽,可以改善S参数并分离¥21和S11的峰值。MS2和MSF作为输出

寄生电阻主要由M2决定。

 

缓冲,完成输出阻抗变换。RL为50欧负载。而MSl与MS2都与输入端相连,对输入阻抗产生影响。其中MSl作为输入管MINPUT的偏置,对功耗影响很大。设计时必须在功耗及S参数值间取得折中。

—雹墨墨墨雹墨雹圆

nesi弘e_“aelx

V/iadow

Me&sgA-e

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Configur^t1

on

ToolsⅡelP

图3改善Q值和输入电阻的有源电感

I曲m而l昌I圈l圃I堙I母IY甲l犍I々1

LrL

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29

49

Frequeaey(1ia)0也RTZ)

图4有源电感等效电路

3以有源电感为负载的低噪声放大器的设计

为了得到性能指标较好的以有源电感为负载的LNA,本文对Jhy—NengYang等人提出的有源电感形式进行了改进。文献2以差分形式的电感取得更好的增益,而文献3是以单端电感形式实现了LNA的设计。为在较好的噪声系数下分离S11与¥21的峰值,本文提出了不对称的双端有源电感形式。

LNA的可选构架包括共栅结构和共源结构。由于这里要设计的是宽带LNA,并使其面积尽可能小,因此我们依然选择了共栅结构。

一般LNA的输入源(如微带天线,传输线)的输出阻抗为50欧。为获得最大功率且不在电路中产生反

一鬟稿㈣渊豁黪

4仿真结果

三三J|㈦

||三_㈣

图6宽带LNA仿真结果

采用0.35um工艺对电路进行仿真。得出仿真结果如图6所示。可以看出。本文提出的设计成功的分离了S11与¥21的峰值点。S11的峰值基本被抑制.波形与一般的共源结构LNA的S11的波形相似。且在整个通带内都满足S11<一10dB的要求。而¥22尽管在2GHz处出现峰值.却在依然整个通带内保持在一13dB

万方数据 

@瞅弼邮局订眠82躺360元/年-249一

电子设计中文核心期刊《微计算机信息》(嵌入式与SOC)2006年第22卷第12-2期

ofPhysics

以下。与此同时.LNA的噪声系数在3dB带宽内保持在3.6至4.9dB,大大优于文献[3]中的8dB值,基本满足宽带LNA的要求。而电路的功耗亦保持在20mW.与文献[3yP的功耗相当。将仿真结果与国际上一些已完成项目做比较,如表1。

表1

NF,(B

Sll,(略

andMicroelectronics

andSolid

Science,HunanUniversity,ma—

jor

in

Microelectronics

Electronics.The

Circuits.

mainresearch

directionisRadioFrequencyIntegrated

(410082湖南大学物理与微电子科学学院)刘文用陈迪平陈弈星王镇道

通讯地址:(410082湖南大学物理与微电子科学学院)

刘文用

(收稿日期:2006.6.27)(修稿日期:2006.7.25)

LNA性能参数比较

S21,dB

有源电感是否

3dB带宽

/G}Iz

lll08ll714

工艺

/tan

0350180240350】8013O3

功耗/row

20

本文文献【5l文献【6】文献【7]文献【8】文献[9】文献【10】文献【31

3.6—9

2.1483

.12~17.4~5.16.6~12.151l一18.7~16

10

15一12

23.2

10202l3

8.4

(上接第93页)

已读取完毕,启动新一轮的编码。ime6400_read0被唤醒后.将内核缓冲区数据拷贝到用户缓冲区,然后返回并等待用户进程的下一次调用。ime6400_read0返回后.用户空间读到编码数据退出阻塞状态,然后读线程以信号量通知写线程,由写线程完成将缓冲区数据存储至硬盘。

98

39.-433928

164~16

28

否否

192

.17

20

是是

窄带

408

18

025

5结论

本文设计了一种以有源电感为负载的宽带低噪声放大器。采用有源电感代替片上螺旋电感,大大缩小了芯片面积。在权衡各项指标的情况下得到较为理想的性能参数,并得到HSPICE仿真结果论证。¥21达到lOdB.电压增益为17dB。在3dB带宽内,S11在一12—.17之间.NF在3.6至4.9之间。通带的反向隔离大于40dB.¥21亦在一14dB以下。

本文作者创新点:提出了不对称的双端有源电感形式。解决了增益的问题,并实现了较好的噪声系数

 下S11与¥21的峰值分离。

参考文献:

[1】陈伟,刘和光.基于Matlab的RF系统阻抗匹配设计[J].微计算机信息。2006.4—2:116—117.

[2]J.N.Yang,Y.Ch.Cheng,T.Y.Hsu

tor-lessCMOSLowNoiseAmplifier

et.A1,”A1.75GHz

4结束语

系统目前已完成了初步调试,可实时压缩存储最大分辨率为720x576全帧率的4:2:2的彩色视频,采用2G的电子硬盘.在720x576分辨率下可记录2小时以上,且图像质量较好。同时系统还具有较好的灵活性,可以通过设置视频图像分辨率大小、量化系数、帧率等参数,来达到对图像大小、图像质量及码率等方面的不同要求.以满足不同场合应用的需要。

本文作者创新点:设计并实现了基于ARM及嵌入式Linux平台的MPEG一4压缩记录,实现了系统的

Induc-

一体化、小型化、高性能、低功耗,在硬件设计上采用核心板加底板的模块化设计方法,在软件上完成了Linux系统下驱动程序的开发。

参考文献:[1]IME6400

firmwaremanual.IntimeCorporation.2003.

32-BIT

RISC

MICROPROCESSOR

USER

WithHigh—QActiveInductor

kad”.Circuits

and

Systems,2001.V01.2,Page(s):816—819.

Cheng;Chen-YiLee;”AdesignofCMOS

[3】J.N.Yang,Y.Ch

broadBandamplifierwithhigh—Q

activeinductor“.System—on—

ChipforReal—TimeApplications.2003.Proceedings.TheInternational

3rdIEEE

Workshop013.30June一2July2003Page(s):86—89.[4IA.ThanachayanontandA.Payne,”VHFCMOSintegrated

riveinductor,"IEEE

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ac—

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T.Yamazak—

Chipsetfor

f31钱晨,徐荣华,王钦若.基于linux操作系统的设备驱动程序开发[J】.微计算机信息,2004,9:131—133.

『51M.Madihian。H.Fujii.H.Yoshida,H.Suzuki,and

i.”A

1。10GHz0.18umCMOS

Multi—ModeWireless

Applications,”IEEEMicrowaveSymposiumDigest,2001.v01.3,PP.

作者简介:危自福(1982一),男,硕士研究生,研究方向为视频压缩与传输,E—mail:weizifu614@126.com;毕笃彦(1962一),男,教授,研究方向为图像处理,图像分析,数据压缩;杨洋(1981一),男,硕士研究生,研究方向为嵌入式系统。

Biograph)r:WeiZifu(1982一),male,master,major.videocompression

and

1865—1868.

[61D.Mukhejee,J.Bhattacharjee,S.Chakrahony。andJ.Laskar,”A5—

6GHzFully——IntegratedCMOSLNAforceiver.”IEEERadioand

Dual——BandWLANRe-

WirelessConference,2002.PP.213-215.

『71T.P.Liu。”5GHzCMOSRadioTransceiverFront—EndChipset,”

IEEE1933.

JournalofSolid—StateCircuits,2000.v01.35,(12),PP.1927-

translation,E—mail:weizifu614@126.com.

作者简介:刘文用(1983一),男(汉族),湖南邵东人,湖南大学物理与微电子科学学院微电子学与固体电子学专业硕士研究生,研究方向为射频集成电路。

Biography:Liu

(710038西安空军工程大学工程学院)危自福毕笃彦(710049西安市西安交通大学)杨洋

通讯地址:(710038西安市空军工程大学工程学院四系信号与信息处理实验室)危自福

(收稿日期:2006.6.27)(修稿日期:2006.7.25)

Wenyong(1983一),male(Hannationality),born

in

ShaodongCounty,HunanProvince,a

graduatestudentofCollege

一250—360元,年邮局订阅号:82—946

万方数据 

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以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

作者:

作者单位:

刊名:

英文刊名:

年,卷(期):

被引用次数:刘文用, 陈迪平, 陈弈星, 王镇道, LIU WENYONG, CHEN DIPING, CHEN YIXING,WANG ZHENDAO410082,湖南大学物理与微电子科学学院微计算机信息CONTROL & AUTOMATION2006,22(35)2次

参考文献(7条)

1.陈伟;刘和光 基于Matlab的RF系统阻抗匹配设计[期刊论文]-微计算机信息 2006(11)

2.J N Yang;Y Ch Cheng;T Y Hsu A 1.75GHz Inductor-less CMOS Low Noise Amplifier With High-Q ActiveInductor Load[外文会议] 2001

3.J N Yang;Y Ch Cheng;Chen-Yi Lee "A design of CMOS broadBand amplifier with high-Q activeinductor",System-onChip for Real-Time Applications,2003 2003

4.A Thanachayanont;A Payne VHF CMOS integrated active inductor[外文期刊] 1996(11)

5.M Madihian;H Fujii;H Yoshida;H.Suzuki, T.Yamazaki A 1~10GHz 0.18 um CMOS Chipset for Multi-ModeWireless Applications 2001

6.D Mukhejee;J Bhattacharjee;S Chakrahony;J.Laskar A 5-6GHz Fully-Integrated CMOS LNA for a Dual-Band WLAN Receiver[外文会议] 2002

7.T P Liu 5GHz CMOS Radio Transceiver Front-End Chipset 2000(12)

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引证文献(2条)

1.张红南.杨智勇.黄雅攸.颜永红 一种改进型有源电感的设计[期刊论文]-微计算机信息 2008(32)

2.葛广顶.康红艳.李思敏 0.35-2.5GHz超宽带低噪声放大器的设计[期刊论文]-微计算机信息 2008(8)

本文链接:http://wendang.chazidian.com/Periodical_wjsjxx200635090.aspx

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